| 摘要 |
本发明系关于一种直接固化半导体级多晶矽铸锭的方法，其允许改良固化方法之控制及减低在铸锭中的氧及碳杂质含量，其藉由在由氮化矽制得的坩埚中或在由碳化矽与氮化矽之复合物制得的坩埚中结晶半导体级矽铸锭(选择性亦包括熔融矽进料)，及其中按规格尺寸切割出坩埚底部的壁厚，使得贯穿底部之热阻级数减低至至少与贯穿在下面承载坩埚的支撑物之热阻相同或较低的程度。本发明亦关系一种由氮化矽或碳化矽与氧化矽之复合物制得的坩埚，其中按规格尺寸切割出此坩埚底部的壁厚，使得实穿底部的热阻级数减低至至少与贯穿在下面承载坩埚的支撑物之热阻相同或较低的程度。 |
