发明名称 使用无电电镀法制造发光二极体之方法
摘要 本发明系关于一种形成发光二极体之方法,此方法包含形成一绝缘层于p型半导体层与n型半导体层中至少其一上,且未被晶种层覆盖之一区域,此区域中之表面杂质浓度系呈不均匀分布,及将晶种层至少一部分置入电解液中,电解液中包含有金属离子,此金属离子在无外加电压下会还原沉积于晶种层之上。
申请公布号 TW200810146 申请公布日期 2008.02.16
申请号 TW095128980 申请日期 2006.08.07
申请人 晶元光电股份有限公司 发明人 庄家铭;邵聿珩;纪喨胜;黄毓杰;霍大成
分类号 H01L33/00(2006.01) 主分类号 H01L33/00(2006.01)
代理机构 代理人
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行五路5号