光阻剥离室及蚀刻基材上光阻之方法

摘要

本发明系关于一种处理一基材之便保护一活性区域之方法，该方法包括将一基才定位于一感应耦合之电浆处理室中、将处理气体供应至该室、自该处理气体产生电浆及处理该基材以便藉由在基材表面处保持约5至15伏特之电浆电位及／或藉由使用一不含矽烷之处理气体来钝化活性区域而保护该活性区域，该处理气体包括有效地在基材之活性区域上形成一保护层之至少一种添加剂，其中该保护层包括来自该添加剂之业已存在于该活性区域中的至少一种元素。