发明名称 多重式量子井结构、发光半导体本体及发光组件
摘要 一种多重式量子井结构(1),其包括:至少一第一量子井结构(2a),其用来生产第一波长(6)的辐射;以及至少一第二量子井结构(2b),其用来生产第二波长(7)的辐射,第二波长(7)大于第一波长(6),且此多重式量子井结构(1)用来发出一种主波长(14)的辐射,其中第二波长(7)须与第一波长(6)不同,使主波长(14)再第一波长(6)和第二波长(7)偏移时只改变一预设得最高值。此外,本发明描述一种发出辐射的半导体本体和一种发出辐射的组件。
申请公布号 TW200810152 申请公布日期 2008.02.16
申请号 TW096119111 申请日期 2007.05.29
申请人 欧斯朗奥托半导体股份有限公司 发明人 彼得史陶斯
分类号 H01L33/00(2006.01) 主分类号 H01L33/00(2006.01)
代理机构 代理人 何金涂
主权项
地址 德国