发明名称 超短雷射脉冲之晶圆刻划方法
摘要 一种用短雷射脉冲来刻划(scribing)晶圆(200)用以降低目标物质的剥离(ablation)门槛值的系统及方法被提供。在一叠物质层(202,204,206,208)中,一根据雷射脉冲宽度的最小雷射剥离门槛值可针对每一层(202,204,206,208)来决定。该等最小雷射剥离门槛值中的最大者被选取且一或多雷射脉冲的光束被产生,其具有一范围是在该被选取的雷射剥离门槛值与该被选取的雷射剥离门槛值的十倍之间之注量(fluence)。在一实施例中,使用的雷射脉冲宽度是在约0.1微微秒(picosecond)至约1000微微秒的范围内。此外,或在另一实施例中,一高脉冲重复频率被选取用以提高刻划速度。在一实施例中,该脉冲重复频率是在约100kHz至约100MHz的范围之间。
申请公布号 TW200809938 申请公布日期 2008.02.16
申请号 TW096118204 申请日期 2007.05.22
申请人 电子科学工业股份有限公司 发明人 杰佛瑞 亚伯洛;彼得 皮洛葛夫斯基
分类号 H01L21/301(2006.01) 主分类号 H01L21/301(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 美国