发明名称 堆叠之半导体装置及其制造方法
摘要 一种藉由堆叠两层所建构的堆叠半导体装置。此堆叠半导体装置具有下半导体装置:电路板;至少一半导体晶片,系安装于该电路板之第一表面上且具有藉由连接装置而电连接至电路的电极;封装件,由绝缘塑胶所构成,覆盖该半导体晶片及该连接装置;复数之电极,形成在该电路板之第二表面之电路的上方;及复数之连结用配线,每一者具有连接至电路板之第一表面之电路的部分及在封装件之表面上受到裸露的另一部分。且此堆叠半导体装置具有上半导体装置,其中每一电极铺覆且电连接至该下半导体装置之每一连结用配线的裸露部分。该连结用配线自电路板的第一表面延伸至封装件的侧表面与上表面,且电连接至自封装件突伸之电路板的电路。
申请公布号 TW200810079 申请公布日期 2008.02.16
申请号 TW096112814 申请日期 2007.04.12
申请人 尔必达存储器股份有限公司 发明人 加贺谷豊;竹英宏;石原政道
分类号 H01L25/10(2006.01) 主分类号 H01L25/10(2006.01)
代理机构 代理人 周良谋;周良吉
主权项
地址 日本