| 摘要 |
基板上具有多个发光部的半导体雷射器，制造工序简化，降低了导波路损失且使水平及垂直扩散角相同。半导体雷射装置，在同一基板(10)上具有红色发光部(A)和红外发光部(B)。红色发光部(A)，系具有条纹(14a)的第一导电型第一包覆层(14)、第二导电型第二包覆层(12)夹着AlGaInP系列活性层(13)的构造。红外发光部(B)，系具有条纹(24a)的第一导电型第三包覆层(24)、第二导电型第四包覆层(22)夹着AlGaAs系列活性层(23)的构造。第一、第二、第三及第四包覆层(依次14、12、24、22)，均为AlGaInP系列，A1：Ga的组成比依次分别为：X1:1-X1、X2:1-X2、X3:1-X3、X4:1-X4时，满足X1≧X2以及X3≧X4之关系。 |
