半导体雷射装置

摘要

一种具有脊条纹构造之半导体雷射装置，包含有：n型披覆层，系具有凸部者；及n型电流阻隔层，系覆盖凸部上面以外的前述披覆层者，又，在前述凸部之上面宽度为W、前后两分裂面间之距离为L、前方分裂面侧之前述上面宽度为Wf、后方分裂面侧之前述上面宽度为Wr时，Wf＞Wr，且在从前方分裂面开始到L／2之范围内，前述上面所占的面积Sc为L／8×(3Wf＋Wr)＜Sc≦L／2×Wf，并且在前述范围内的任意位置，W皆位于1／2(Wf＋Wr)＜W≦Wf之范围。