发明名称 电气帮浦式半导体衰减雷射
摘要 一电激发并合衰减雷射之设备及方法。用于一范例,一设备包含一设置在矽中之光学波导器。一活化半导体材料系设置在该光学波导器上方,并在该光学波导器及该活化半导体材料之间界定一衰减耦接介面,使得一藉由该光学波导器所导引之光学模式重叠该光学波导器及该活化半导体材料两者。一电流注入路径系界定经过该活化半导体材料,且至少局部地重叠该光学模式,使得回应于电流注入而沿着至少局部重叠该光学模式之电流注入路径,光线系回应于该活化半导体材料之电激发所产生。
申请公布号 TW200810302 申请公布日期 2008.02.16
申请号 TW096123477 申请日期 2007.06.28
申请人 英特尔公司;加州大学董事会 发明人 鲍尔;柯恩 欧戴德;方格;乔恩斯 理查;潘尼西亚;朴现代
分类号 H01S5/042(2006.01) 主分类号 H01S5/042(2006.01)
代理机构 代理人 恽轶群;陈文郎
主权项
地址 美国