金氧半电晶体及其制造方法

摘要

一种金氧半电晶体的制造方法，此方法是先提供一基底。然后，于基底上形成闸极结构材料层。而后，通入含碳前驱气体以及反应气体，以于闸极结构材料层上形成含碳罩幕材料层。接着，将含碳罩幕材料层与闸极结构材料层图案化，以形成含碳硬罩幕层与闸极结构。之后，于闸极结构与含碳硬罩幕层的侧壁上形成间隙壁。随后，于基底上形成保护层。接着，移除部分保护层，而暴露出部分基底表面。然后，于暴露的基底上形成掺杂磊晶层。