制造双载子电晶体的方法

摘要

本发明系关于一种在一半导体基板(11)上制造双载子电晶体的方法，其系分别具有一第一、第二及第三半导体材料之一第一、一第二及一第三层(1、2、3)，其皆为一第一导电率类型。该第二层(2)之一第一部分系变换成为一包含一第一电绝缘材料的埋入式隔离区(15)。包含(例如)一集极区之该第一导电率类型之第一半导体区(6)，系从邻接该埋入式隔离区(15)之该第二层(2)的一第二部分，及邻接该第二层(2)之该第二部分的该第一层(1)之一部分形成。接着一基极区(7)藉由将该第三层(3)变换成为一第二导电率类型，而在该埋入式隔离区(15)及该第一半导体区(6)上形成，该第二导电率类型系与该第一导电率类型相反。之后包括(例如)一射极区的该第一导电率类型之一第二半导体区(8)，系形成于该基极区(7)的一部分上。此方法提供一双载子电晶体的形成，其有利地降低外质集极至基极区(6、7)电容，系由于此电容之值仅主要藉由该埋入式隔离区(15)决定的事实，该埋入式隔离区(15)具有比该集极至基极区(6、7)接面之介电常数实质上低的介电常数。