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发明名称
用于磁性遮蔽之多层结构
摘要
存在一种磁屏蔽。该屏蔽可用于保护一微电子器件免于杂散磁场干扰。该屏蔽至少包括两层。一第一层包括一可用于阻挡DC磁场之磁材料。一第二层包括一可用于阻挡AC磁场之导电材料。视该第一及第二层包括之材料之类型而定,一第三层可插入于第一与第二层之间。该第三层可包括一非导电材料,其可用于确保分开之涡流区域在该第一及该第二层内形成。
申请公布号
TW200810681
申请公布日期
2008.02.16
申请号
TW096107237
申请日期
2007.03.02
申请人
哈尼威尔国际公司
发明人
罗曼尼R 凯蒂
分类号
H05K9/00(2006.01)
主分类号
H05K9/00(2006.01)
代理机构
代理人
陈长文
主权项
地址
美国
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