发明名称 用于磁性遮蔽之多层结构
摘要 存在一种磁屏蔽。该屏蔽可用于保护一微电子器件免于杂散磁场干扰。该屏蔽至少包括两层。一第一层包括一可用于阻挡DC磁场之磁材料。一第二层包括一可用于阻挡AC磁场之导电材料。视该第一及第二层包括之材料之类型而定,一第三层可插入于第一与第二层之间。该第三层可包括一非导电材料,其可用于确保分开之涡流区域在该第一及该第二层内形成。
申请公布号 TW200810681 申请公布日期 2008.02.16
申请号 TW096107237 申请日期 2007.03.02
申请人 哈尼威尔国际公司 发明人 罗曼尼R 凯蒂
分类号 H05K9/00(2006.01) 主分类号 H05K9/00(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 美国