发明名称 用于使用脉冲场以促进磁性记忆体元件之自旋转移引发之转换之方法及系统
摘要 本发明说明一种用于提供和利用磁性记忆体之方法和系统。该磁性记忆体包含复数个磁性储存单元。各磁性储存单元包含磁性元件,该等磁性元件于写入电流通过该等磁性元件和选择装置时由于自旋转移(spintransfer)而可程式化。该方法和系统包含驱动第一电流邻近但不流经一部分的磁性储存单元的磁性元件。该第一电流产生磁场。该方法和系统亦包含驱动第二电流流经该部分的磁性储存单元的磁性元件。该第一和第二电流较佳地被驱动流经与该等磁性元件耦合之位元线。该第一和第二电流于开始时间被导通。该第二电流和该磁场足以程式化该等磁性元件。
申请公布号 TW200809858 申请公布日期 2008.02.16
申请号 TW096125802 申请日期 2007.07.16
申请人 弘世科技公司;瑞萨科技股份有限公司 RENESAS TECHNOLOGY CORP. 日本 发明人 丁云飞
分类号 G11C11/14(2006.01) 主分类号 G11C11/14(2006.01)
代理机构 代理人 洪武雄;陈昭诚
主权项
地址 美国