摘要 |
本发明是揭示一种静电放电保护装置之闸极接地电晶体,其系提供一与汲极(drain)区域同型的掺杂井区域,并于其内形成一隔离结构,使得汲极区域(drain contact)至多晶矽闸极(poly gate)之间存有一缓冲距离作为电阻缓冲区(Resistance Ballast)的效用,并藉此电阻缓冲区使静电放电产生的高电流能够有一较均匀的方式将其排除掉,以避免在汲极区域附近产生局部高电流和局部加热现象,故可以有效避免静电放电保护结构被潜在破坏,可使得汲极区域至多晶矽闸极之间的电阻缓冲区的尺寸缩小即可达成更佳之功效。 |