发明名称 PHASE CHANGE MEMORY CELL DEFINED BY IMPRINT LITHOGRAPHY
摘要
申请公布号 KR100803743(B1) 申请公布日期 2008.02.15
申请号 KR20060053772 申请日期 2006.06.15
申请人 发明人
分类号 H01L27/115;H01L21/027 主分类号 H01L27/115
代理机构 代理人
主权项
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