| 摘要 |
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur chargenweisen Herstellung von hochreinem polykristallinen Silicium, bei dem in einem geöffneten Abscheidereaktor ein U-förmiger Trägerkörper aus Silicium gefestigt wird, der Abscheidereaktor luftdicht verschlossen wird, der U-förmige Trägerkörper durch direkten Stromdurchgang aufgeheizt wird, in den Abscheidereaktor durch eine Zuführleitung ein siliciumhaltiges Reaktionsgas und Wasserstoff eingeleitet wird, wodurch auf dem Trägerkörper Silicium aus dem Reaktionsgas abgeschieden wird, der Durchmesser des Trägerkörpers anwächst und ein Abgas entsteht, welches durch eine Abführleitung aus dem Abscheidereaktor entfernt wird, und nach Erreichen eines erwünschten Durchmessers des Trägerkörpers die Abscheidung beendet wird, der Trägerkörper auf Raumtemperatur abgekühlt wird, der Abscheidereaktor geöffnet wird, der Trägerkörper aus dem Abscheidereaktor entfernt wird und ein zweiter U-förmiger Trägerkörper aus Silicium im Abscheidereaktor befestigt wird, dadurch gekennzeichnet, dass ab dem Öffnen des Abscheidereaktors zum Ausbau des ersten Trägerkörpers mit abgeschiedenem Silicium bis zum Schließen des Reaktors zum Abscheiden von Silicium auf dem zweiten Trägerkörper ein Inertgas durch die Zuführleitung und die Abführleitung hindurch in den geöffneten Reaktor eingeführt wird.
|
