栅极结构的制造方法

摘要

一种栅极结构的制造方法，包括：在半导体衬底上顺次沉积介质层、导电层、阻挡层及图案化的光致抗蚀剂层；刻蚀阻挡层；移除图案化的光致抗蚀剂层；将上述步骤与后续刻蚀步骤间的时间间隔控制在4小时以内；刻蚀导电层及介质层。通过缩短移除图案化的抗蚀剂层与后续刻蚀步骤间的时间间隔，减小了在具有开口区的阻挡层根部形成金属层材料氧化物的可能性，即控制了阻挡层根部缺陷的产生，进而抑制了栅极根部缺陷的产生。

主权项

1.一种栅极结构的制造方法，将半导体衬底置于第一反应区，并在半导体衬底上顺次沉积介质层、导电层、阻挡层及图案化的光致抗蚀剂层；然后将所述半导体衬底移动至第二反应区，以所述光致抗蚀剂层作为掩膜刻蚀所述阻挡层；随后将所述半导体衬底移动至第三反应区，移除所述光致抗蚀剂层；最后将所述半导体衬底移动至第四反应区，刻蚀所述导电层及介质层，其特征在于：将所述半导体衬底从第二反应区移动至第四反应区所需时间小于4小时。