| 发明名称 | 机电存储器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 在存储器件和形成其的方法中，在一个实施例中，存储器件包括衬底上的第一字线结构，该第一字线结构在第一方向上延伸。位线设置在第一字线结构上并且与第一字线分开第一间隔，该位线在横断于第一方向的第二方向上延伸。第二字线结构设置在位线之上并且与位线分开第二间隔，该第二字线结构在第一方向上延伸。位线在第一字线结构和第二字线结构之间浮置，使得位线偏转以在第一弯折位置上通过第一间隔与第一字线结构的顶部电耦合，并且位线偏转以在第二弯折位置上通过第二间隔与第二字线结构的底部电耦合，并且在重置位置上该位线与第一字线结构和第二字线结构相隔离。 | ||
| 申请公布号 | CN101123244A | 申请公布日期 | 2008.02.13 |
| 申请号 | CN200710097092.X | 申请日期 | 2007.04.17 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 李成泳;金洞院;朴贤雨;尹恩贞 |
| 分类号 | H01L23/522(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L23/522(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 林宇清;谢丽娜 |
| 主权项 | 1.一种存储器件，包括：衬底；衬底上的第一字线结构，该第一字线结构在第一方向上延伸；位线，在第一字线结构上并且与第一字线分开第一间隔，该位线在横断于第一方向的第二方向上延伸；以及第二字线结构，在位线之上并且与位线分开第二间隔，该第二字线结构在第一方向上延伸，其中位线在第一字线结构和第二字线结构之间浮置，使得位线偏转以在第一弯折位置上通过第一间隔与第一字线结构的顶部电耦合，并且位线偏转以在第二弯折位置上通过第二间隔与第二字线结构的底部电耦合，并且在重置位置上该位线与第一字线结构和第二字线结构相隔离。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市灵通区梅滩洞416番地 | ||