半导体集成电路器件及其制造方法

摘要

本发明提供了一种半导体集成电路器件及其制造方法，该半导体器件包括：半导体基板；在基板顶部部分上的绝缘体，其限定了绝缘体区；在基板上的导电层图案，该导电层图案由公共导电层被图案化，该导电层图案包括在绝缘体区中的绝缘体上的第一图案部分和在基板的有源区中的基板上的第二图案部分，其中第二图案部分包括在有源区中的晶体管的栅极；和在绝缘体区中的绝缘体上的电容器，该电容器包括：在导电层图案第一图案部分上的下部电极，在下部电极上的介电层图案和在介电层图案上的上部电极。

主权项

1.一种半导体器件，包括：半导体基板；绝缘体，在所述基板顶部部分上，限定绝缘体区；在基板上的导电层图案；该导电层图案由公共导电层被图案化，该导电层图案包括在绝缘体区中绝缘体上的第一图案部分和在基板有源区中基板上的第二图案部分，其中第二图案部分包括在有源区中晶体管的栅极；和在绝缘体区中绝缘体上的电容器，该电容器包括：在所述导电层图案第一图案部分上的下部电极，在所述下部电极上的介电层图案，和在所述介电层图案上的上部电极。