| 发明名称 | 电平转换电路 | ||
| 摘要 | 一种电平转换电路，包括：第一NMOS晶体管(202a)和第二NMOS晶体管(202b)组成的降压电路；第一PMOS晶体管(204a)和第二PMOS晶体管(204b)组成的升压电路；其中，所述第一NMOS晶体管(202a)与第二NMOS晶体管(202b)源极接地，栅极和输入端连接；第二NMOS晶体管(202b)栅极通过一反相器连接至所述输入端，漏极与输出端连接；所述第一PMOS晶体管(204a)源极和第一高电平电源电连接，漏极与所述第一NMOS晶体管(202a)漏极电连接，栅极和输出端电连接；所述第二PMOS晶体管(204b)源极和第一高电平电源电连接，漏极与输出端电连接，栅极与所述第一NMOS晶体管(202a)漏极电连接；所述第一NMOS晶体管(202a)和第二NMOS晶体管(202b)为薄栅晶体管。该电平转换电路具有较快的转换速度，较低的功耗。 | ||
| 申请公布号 | CN101123430A | 申请公布日期 | 2008.02.13 |
| 申请号 | CN200610029913.1 | 申请日期 | 2006.08.10 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 俞大立 |
| 分类号 | H03K19/0185(2006.01);H03K19/0175(2006.01) | 主分类号 | H03K19/0185(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1.一种电平转换电路，其特征在于包括：第一NMOS晶体管(202a)和第二NMOS晶体管(202b)组成的降压电路；第一PMOS晶体管(204a)和第二PMOS晶体管(204b)组成的升压电路；其中，所述第一NMOS晶体管(202a)与第二NMOS晶体管(202b)源极接地，栅极和输入端连接；第二NMOS晶体管(202b)栅极通过一反相器连接至所述输入端，漏极与输出端连接；所述第一PMOS晶体管(204a)源极和第一高电平电源电连接，漏极与所述第一NMOS晶体管(202a)漏极电连接，栅极和输出端电连接；所述第二PMOS晶体管(204b)源极和第一高电平电源电连接，漏极与输出端电连接，栅极与所述第一NMOS晶体管(202a)漏极电连接；所述第一NMOS晶体管(202a)和第二NMOS晶体管(202b)为薄栅晶体管；当输入端接第二高电平时所述第一NMOS晶体管导通，输出端输出第一高电平；输入端接地，第二NMOS晶体管导通，输出端输出低电平0V。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||