| 发明名称 | 垂直机电存储器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种存储器件及形成存储器件的方法，该器件包括：基底；第一电极，在相对于基底的垂直方向上延伸；第二电极，在相对于基底的垂直方向上延伸，第二电极通过电极间隙与第一电极分隔开。第三电极设置成在电极间隙中沿着垂直方向延伸，第三电极通过第一间隙与第一电极分隔开，第三电极通过第二间隙与第二电极分隔开，第三电极可弹性地变形，使得第三电极偏斜以穿过第一间隙在第一弯曲位置与第一电极电连接，穿过第二间隙在第二弯曲位置与第二电极电连接，并在静止位置与第一电极和第二电极隔离。 | ||
| 申请公布号 | CN101123256A | 申请公布日期 | 2008.02.13 |
| 申请号 | CN200710139012.2 | 申请日期 | 2007.07.20 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 尹恩贞;李成泳;金旻相;金成玟 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01);H01L23/522(2006.01);H01L23/528(2006.01);H01L23/532(2006.01);H01L21/8247(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L27/115(2006.01) |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人 | 韩明星;冯敏 |
| 主权项 | 1.一种存储器件，包括：基底；第一电极，在相对于基底的垂直方向上延伸；第二电极，在相对于基底的垂直方向上延伸，第二电极通过电极间隙与第一电极分隔开；第三电极，在电极间隙中沿着垂直方向延伸，第三电极通过第一间隙与第一电极分隔开，第三电极通过第二间隙与第二电极分隔开，第三电极可弹性地变形，使得第三电极偏斜以穿过第一间隙在第一弯曲位置与第一电极电连接，穿过第二间隙在第二弯曲位置与第二电极电连接，并在静止位置与第一电极和第二电极隔离。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市灵通区梅滩洞416 | ||