发明名称 | 半导体产品的关键尺寸控制方法 | ||
摘要 | 本发明是有关于半导体制造领域。具体揭示一种半导体产品的关键尺寸控制方法,用以在小体积高准确度半导体产品的制造流程中,控制一半导体处理操作期间一半导体产品的关键尺寸,上述半导体处理操作期间要求一所需能量值以实现上述关键尺寸。上述控制方法包括:测量先前形成在上述产品上的一关键尺寸;根据上述半导体处理操作的一所需关键尺寸及上述测量的关键尺寸计算一第一能量值;以及根据上述计算出的第一能量值以及先前取得的一所需能量获得上述所需能量值,上述先前取得的所需能量对应在上述制造流程中执行在一先前产品上的上述半导体处理操作。 | ||
申请公布号 | CN100369229C | 申请公布日期 | 2008.02.13 |
申请号 | CN200510002870.3 | 申请日期 | 2005.01.27 |
申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 沈友玮;陈永镇 |
分类号 | H01L21/66(2006.01) | 主分类号 | H01L21/66(2006.01) |
代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人 | 刘新宇 |
主权项 | 1.一种半导体产品的关键尺寸控制方法,用以在小体积高准确度半导体产品的制造流程中,控制一半导体处理操作过程中一半导体产品的多数关键尺寸,上述半导体处理操作过程中要求一所需能量值以实现上述多数关键尺寸,其特征在于所述半导体产品的关键尺寸控制方法包括:测量先前形成在上述产品上的一关键尺寸;根据上述半导体处理操作的一所需关键尺寸及上述测量的关键尺寸计算一第一能量值,其中:上述第一能量值=(上述所需关键尺寸-测得的关键尺寸数据的平均数)×一关键尺寸控制器提供的一关键尺寸斜率;以及根据计算出的上述第一能量值以及先前取得的一所需能量以及上述产品的比重以获得上述所需能量值,上述先前取得的所需能量对应在上述制造流程中执行在一先前产品上的上述半导体处理操作,其中:上述所需能量值=上述比重×先前产品的所需能量+(1-上述比重)×(上述关键尺寸控制器提供的曝光能量的一第二能量值+上述第一能量值)。 | ||
地址 | 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号 |