发明名称 自旋阀型数字式磁场传感器及其制作方法
摘要 本发明公开了一种自旋阀型数字式磁场传感器,包括:片基;片基上所形成的若干个具有一定厚度的自由层和钉扎层的自旋阀元件,每个自旋阀元件的自由层和钉扎层厚度之和相等且零场时电阻相等;参考电阻,其电阻不随磁场变化;电路部分,包括一个双态或三态电压或电阻比较器和一个扫描电源电路,扫描电源电路与自旋阀和参考电阻相连,依次向每个自旋阀元件发出脉冲电流,比较器与每个自旋阀元件及参考电阻相连,分别比较参考电阻与每个自旋阀之间的电阻大小并输出信号。本发明灵敏度比现有的GMR磁性传感器灵敏度提高20-40倍,并且不存在通常传感器的线性度的问题;同时由于是数字式的,所以有着很强的抗干扰能力。
申请公布号 CN100368820C 申请公布日期 2008.02.13
申请号 CN200410090615.4 申请日期 2004.11.10
申请人 中国科学院物理研究所 发明人 王磊;赵静;韩宇男;韩秀峰
分类号 G01R33/09(2006.01) 主分类号 G01R33/09(2006.01)
代理机构 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 代理人 尹振启
主权项 1.一种自旋阀型数字式磁场传感器,其特征在于,包括:片基;所述片基上所形成的若干个具有一定厚度的自由层和钉扎层的自旋阀元件,每个所述自旋阀元件的自由层和钉扎层厚度之和相等且零场时电阻相等;参考电阻,其电阻不随磁场变化;电路部分,包括一个双态或三态电压或电阻比较器和一个扫描电源电路,扫描电源电路与自旋阀和参考电阻相连,依次向每个自旋阀元件发出脉冲电流,比较器与每个自旋阀元件及参考电阻相连,分别比较参考电阻与每个自旋阀之间的电阻大小并输出信号。
地址 100080北京市海淀区中关村南三街8号
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