| 发明名称 | 进行RTA控温测量的方法及其所用的测控晶片 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种进行RTA控温测量的方法，该方法包括步骤：制备两种测控晶片，一种为低辐射率测控晶片，另一种为高辐射率测控晶片；同时应用低辐射率测控晶片和高辐射率测控晶片对RTA设备进行测量。本发明还公开了一种上述方法中用的测控晶片，它通过改变晶片背面材质而形成。本发明的方法可兼顾辐射率低/高两端，更容易发现RTA设备辐射率测算出现的问题，能更好地维护设备的稳定。 | ||
| 申请公布号 | CN101123170A | 申请公布日期 | 2008.02.13 |
| 申请号 | CN200610029992.6 | 申请日期 | 2006.08.11 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 许世勋;朱琳 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/66(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陈平 |
| 主权项 | 1.一种进行RTA控温测量的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)制备两种测控晶片，一种为低辐射率测控晶片，另一种为高辐射率测控晶片；(2)同时应用步骤(1)的低辐射率测控晶片和高辐射率测控晶片对RTA设备进行测量。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||