| 发明名称 | 贴合晶圆的制造方法及贴合晶圆 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种贴合晶圆制造方法，该贴合晶圆是通过至少贴合基体晶圆以及结合晶圆来制造的，该方法具有对贴合晶圆的外周部的平台部的氧化膜进行蚀刻的步骤，其中对该平台部的氧化膜进行的蚀刻，是一边保持该贴合晶圆使其旋转，一边使用旋转蚀刻来进行的。借此，可提供一种贴合晶圆的制造方法，不会蚀刻到基体晶圆背面的氧化膜，且可有效地对形成在基体晶圆的平台部的氧化膜进行蚀刻。 | ||
| 申请公布号 | CN101124657A | 申请公布日期 | 2008.02.13 |
| 申请号 | CN200580048490.1 | 申请日期 | 2005.11.02 |
| 申请人 | 信越半导体股份有限公司 | 发明人 | 武井时男;吉泽重幸;宫崎进;横川功;能登宣彦 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01);H01L21/304(2006.01);H01L21/306(2006.01);H01L27/12(2006.01) | 主分类号 | H01L21/02(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陈晨 |
| 主权项 | 1.一种贴合晶圆制造方法，该贴合晶圆是通过至少贴合基体晶圆以及结合晶圆来制造的，所述方法具有对贴合晶圆的外周部的平台部的氧化膜进行蚀刻的步骤，其特征在于：对该平台部的氧化膜进行的蚀刻，是一边保持该贴合晶圆使其旋转，一边使用旋转蚀刻来进行的。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||