发射极环绕型背触点硅太阳能电池的触点制备

摘要

包含后表面结构的背触点太阳能电池及其制备方法。所述后表面具有穿过至少之一介电层的小的触点面积，所述介电层包括但不限于钝化层、氮化物层、扩散阻挡层和/或金属化阻挡层。优选丝网印刷介电层。大的栅极面积覆盖所述介电层。本方法通过使P－型触点面积最小化以及使在p－型衬底的后表面上的n－型掺杂区域最大化来提高效率。

主权项

1.一种用于制备背-触点太阳能电池的方法，所述方法包括如下步骤：形成多个从半导体衬底的前表面延伸到该衬底后表面的孔，所述衬底包含第一导电型；在前表面、后表面以及在围绕所述孔的表面上提供包含相反导电类型的扩散层；在后表面上沉积形成图案的介电层；使包含第一导电型的多个触点与所述衬底合金化；在与所述触点电接触的所述介电层上沉积第一导电栅极；以及在与所述扩散层电接触的后表面上沉积第二导电栅极。