| 发明名称 | 先进的低介电常数有机硅等离子体化学汽相沉积膜 | ||
| 摘要 | 提供了一种多孔的低k或超低k电介质膜，包括以共价键三维网络结构存在的Si、C、O和H(下面称为“SiCOH”)，具有低于大约3.0的介电常数，并具有比现有技术的SiCOH电介质更高程度的晶体键相互作用、更多作为甲基端基的碳和更少的亚甲基(－CH<SUB>2</SUB>－)交联基。该SiCOH电介质的特征在于，其FTIR谱包括小于大约1.40的CH<SUB>3</SUB>+CH<SUB>2</SUB>伸展的峰面积、小于大约0.20的SiH伸展的峰面积、大于大约2.0的SiCH<SUB>3</SUB>键合的峰面积以及大于大约60％的Si－O－Si键合的峰面积，并且该SiCOH电介质的孔隙率大于大约20％。 | ||
| 申请公布号 | CN101124664A | 申请公布日期 | 2008.02.13 |
| 申请号 | CN200680004568.4 | 申请日期 | 2006.02.14 |
| 申请人 | 国际商业机器公司;索尼株式会社 | 发明人 | 山·V.·阮;莎拉·L.·莱恩;李加;井田健作;达里尔·D.·拉斯坦诺;野上武史 |
| 分类号 | H01L21/31(2006.01) | 主分类号 | H01L21/31(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 付建军 |
| 主权项 | 1.一种电介质材料，其包括Si、C、O和H原子并具有三维网络结构，其中该材料的FTIR谱包括小于大约1.40的CH3+CH2伸展的峰面积、小于大约0.20的SiH伸展的峰面积、大于大约2.0的SiCH3 键合的峰面积以及大于大约60的Si-O-Si键合的峰面积，并且该材料的孔隙率大于大约20％。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||