| 发明名称 | 具有氮化氧化物层的半导体器件及其方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件，包括基板(12)、在基板(12)的表面上形成的第一绝缘层(14)、在第一绝缘层(14)的表面上形成的纳米晶体层(13)、在纳米晶体层(13)上面形成的第二绝缘层(15)。向第二绝缘层(15)施加氮化环境，以形成在基板(12)上形成第三绝缘层(22)时阻挡进一步氧化的阻挡层。第二绝缘层(15)的氮化在未增加用于制造半导体器件(10)的工艺流程的复杂性的情况下，防止了纳米晶体的氧化或收缩，并且防止了第一绝缘层14的厚度的增加。 | ||
| 申请公布号 | CN101124667A | 申请公布日期 | 2008.02.13 |
| 申请号 | CN200580041207.2 | 申请日期 | 2005.12.16 |
| 申请人 | 飞思卡尔半导体公司 | 发明人 | 林相佑;罗伯特·F·施泰梅尔 |
| 分类号 | H01L21/331(2006.01);H01L21/4763(2006.01) | 主分类号 | H01L21/331(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 穆德骏;黄启行 |
| 主权项 | 1.一种用于形成半导体器件的方法，包括：提供半导体基板；在半导体基板的表面上形成第一绝缘层；在第一绝缘层的表面上形成纳米晶体层；在纳米晶体层上面形成第二绝缘层；向第二绝缘层施加氮化环境；选择性地移除部分纳米晶体层以及第一和第二绝缘层，以暴露半导体基板的表面；并且在半导体基板的暴露表面上形成第三绝缘层。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯 | ||