发明名称 |
制备纳米间隙的外电场诱导取向沉积方法 |
摘要 |
制备纳米间隙的外电场诱导取向沉积方法是一种纳米结构的加工技术,该方法基于电场诱导与选择性化学沉积法相结合,同步诱导金属在电极尖端处优先沉积并取向生长,使电极对的间隙从微米级或亚微米级减小到纳米级,从而获得纳米间隙结构。制备的工艺如下:用普通光刻工艺制备出微米级或亚微米级间隙的原型电极;在原型电极表面组装双功能分子“X-R-Y”、化学吸附化学镀引发剂,使电极表面具有催化活性;将具有催化活性的原型电极放入化学镀溶液中,同时沿着原型电极对的方向上施加一个外置分立交变电场,同步诱导金属在电极对尖端处优先沉积与取向生长,从而实现电极间隙的减小,获得纳米间隙结构。 |
申请公布号 |
CN100369206C |
申请公布日期 |
2008.02.13 |
申请号 |
CN200410065950.9 |
申请日期 |
2004.12.28 |
申请人 |
东南大学 |
发明人 |
徐丽娜;顾宁;黄岚;解胜利 |
分类号 |
H01L21/28(2006.01);H01L21/44(2006.01);B82B3/00(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/28(2006.01) |
代理机构 |
南京经纬专利商标代理有限公司 |
代理人 |
叶连生 |
主权项 |
1.一种制备纳米间隙的外电场诱导取向沉积方法,其特征在于该方法基于与原型电极对分立,非电连接的外置分立电场诱导与选择性化学沉积法相结合,同步诱导金属在电极尖端处优先沉积并取向生长,使电极对的间隙从微米级或亚微米级减小到纳米级,从而获得纳米间隙电极结构。 |
地址 |
210096江苏省南京市四牌楼2号 |