| 发明名称 | 半导体集成电路 | ||
| 摘要 | 一种半导体集成电路，包括：半导体衬底；热产生电路元件，其在半导体衬底上按多层结构形成，并且在产生相对高温度的热量的同时，执行预定操作；多个温度相关的电路元件，每一个都在半导体衬底上的预定的位置处按多层结构形成，根据热产生电路元件的温度来执行预定的操作，并且每一个都具有在温度相关的特性上彼此恒定的关系；热传导层，其具有高于半导体衬底的导热率的导热率，并至少连续覆盖热产生电路元件的热产生部分和多个温度相关的电路元件，以将由热产生电路元件产生的热量传导到多个温度相关的电路元件。按照该结构，该半导体集成电路可以保持其所需的操作精度，而与温度上的改变无关。 | ||
| 申请公布号 | CN100369250C | 申请公布日期 | 2008.02.13 |
| 申请号 | CN200410075169.X | 申请日期 | 2004.09.02 |
| 申请人 | 罗姆股份有限公司 | 发明人 | 大久保卓也;酒井优 |
| 分类号 | H01L27/00(2006.01);H01L21/822(2006.01);H01L23/34(2006.01) | 主分类号 | H01L27/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 朱进桂 |
| 主权项 | 1.一种半导体集成电路，包括：半导体衬底；热产生电路元件，在半导体衬底上按多层结构形成，并且在产生相对较高温度的热量的同时，执行预定的操作；多个温度相关的电路元件，每一个均在半导体衬底上的预定的位置处按多层结构形成，用于根据热产生电路元件的温度来执行预定的操作，所述电路元件的每一个均具有在温度相关的特性上彼此恒定的关系；以及热传导层，具有高于半导体衬底的导热率的导热率，并至少连续覆盖热产生电路元件的热产生部分和多个温度相关的电路元件，从而将由热产生电路元件所产生的热量传导到多个温度相关的电路元件，其中，所述热传导层与所述热产生电路元件和所述多个温度相关的电路元件中的任一个电分离。 | ||
| 地址 | 日本京都府 | ||