异质结双极晶体管及其制造方法

摘要

本发明旨在提供一种在高功率输出的操作下具有提高的击穿电压的异质结双极晶体管，所述异质结双极晶体管包括：一个GaAs半导体衬底；一个n⁺型GaAs亚集电极层110；一个n型GaAs集电极层120；一个p型GaAs基区层130；一个发射极层140；一个n型GaAs发射极覆盖层150；以及一个n型InGaAs发射极接触层160。所述发射极层140具有一个多层结构，包括依次层叠的一个n型或非掺杂第一发射极层141和一个n型第二发射极层142。所述第一发射层141由包含Al的一种半导体材料制成，而所述第二发射层142由In_xGa_1-xP(0＜x＜1)制成。

主权项

1.一种异质结双极晶体管，包括：一个由GaAs制成的n型集电极层；一个由GaAs制成的且在所述集电极层之上形成的p型基区层；一个在所述基区层之上形成的n型或非掺杂第一发射极层；一个在所述第一发射极层之上形成的n型第二发射极层；以及一个形成在所述基区层之上以便接触所述第一发射极层和所述第二发射极层中的至少一个的基极电极，其中所述第一发射极层由包含铝的一种半导体材料或氧化铝制成，并且所述第二发射层由InxGa1-xP制成，其中0＜x＜1。