一种三维神经微电极阵列的制作方法

摘要

本发明属于微电极微加工技术领域，具体为一种三维神经微电极阵列的制作方法。本发明利用玻璃模具、PDMS的微复制特性和电镀技术制作三维微电极阵列，用精密切割机切割玻璃形成柱状阵列，用HF和NH₄F的混合液腐蚀出相应的结构作为PDMS微复制的模具，免去了光刻工艺，消除了光刻胶对三维结构尺寸的限制，可以制作更大长度的微电极阵列，这一长度决定于玻璃的切割深度和金属的深孔电镀技术。本发明方法，工艺简单，可以大大降低成本。

主权项

1.一种三维神经微电极阵列的制作方法，其特征在于具体步骤如下：(a)以表面平整的玻璃做基底；(b)用精密铣切机在基底表面划出三维电极阵列图形；(c1)用PDMS掩蔽玻璃柱子阵列和玻璃图形，用HF/NH4F的混合液40-50℃腐蚀玻璃片，使腐蚀面与划痕底基本相平，500℃～600℃退火去掉PDMS，再以同样的条件腐蚀玻璃，使玻璃柱子成为上小下大锥形结构；混合液中HF和NH4F的比例为0.5∶0.7-0.5∶0.8mol/L；(d)将PDMS前体与凝固剂的混合液搅拌均匀，并浇注到玻璃的腐蚀图形中，水平放置玻璃片，使混合液表面平整，并低于玻璃柱子阵列的上表面；100℃-120℃加热玻璃片10-15分钟，使混合液凝固成PDMS韧性薄膜；(e)揭下PDMS薄膜，贴在铜籽晶载波片衬底上；(f)用氧等离子体处理PDMS，然后放入电镀液中室温脉冲镀铜，使铜填满PDMS中的圆孔；(g)去掉PDMS形成铜三维神经微电极阵列；其中，PDMS为聚二甲基硅氧烷。