基于纳米尺度线的数据存储

摘要

本发明一般性涉及纳米技术和可以用于电路的亚微米电子器件，并且在某些情况下，涉及能够编码数据的纳米尺度线和其它纳米结构。本发明的一个方面提供一种具有电可极化的区域的纳米尺度线或其它纳米结构，例如，纳米尺度线可以包括核和电可极化壳。在某些情况下，电可极化区域在没有外电场情况下能够保持其极化状态。电可极化区域的全部或仅一部分可以被极化，以例如编码一个或多个数据位。在一组实施方案中，电可极化区域包括功能氧化物或铁电氧化物材料，例如，BaTiO₃、钛锆酸铅等。在某些实施方案中，纳米尺度线(或其它纳米结构)还可以包括其它材料，例如，使纳米尺度线的电可极化区域与其它区域隔离的隔离区域。例如，在纳米尺度线内，一个或多个中间壳可以使所述核与电可极化壳隔离。

主权项

1.一种电子数据存储器件，包括：第一电极；第二电极；限定所述第一电极和所述第二电极之间的电通路的半导体材料；最接近所述半导体材料、可在至少第一极化状态和第二极化状态之间转换的材料，其中，所述半导体材料可在分别响应铁电氧化物材料的所述第一或第二极化状态的第一导电态和第二导电态之间转换，在所述第一和第二电极之间分别提供选自第一电导率和为所述第一电导率至少1000倍的第二电导率中的电导率。