降低半导体晶片中的陷阱密度的方法

摘要

本发明涉及降低半导体晶片中的陷阱密度的方法。该方法用于降低多层半导体晶片的有源层与所述有源层之下的埋在所述多层晶片内的绝缘层之间的界面处的陷阱密度，所述方法包括在受控气氛中对所述多层晶片执行高温热处理，所述热处理包括在氧化温度下在至少包括氧化物质的受控气氛中执行的氧化阶段，并且导致以覆盖氧化层覆盖所述晶片的表面，所述方法还包括在所述热处理之后的去除在所述氧化阶段期间生成的所述覆盖氧化层的脱氧操作，该方法的特征在于，在所述热处理期间以及在所述氧化阶段之后，控制所述受控气氛，以在大致中性的气氛中至少包括这样的物质，该物质的离子可以向下迁移到所述晶片内的期望降低陷阱密度的所述界面处的深度。

主权项

1.一种用于降低多层半导体晶片的有源层与所述有源层之下的埋在所述多层晶片内的绝缘层之间的界面处的陷阱密度的方法，所述方法包括在受控气氛中对所述多层晶片执行高温热处理，所述热处理包括在氧化温度下在至少包括氧化物质的受控气氛中执行的氧化阶段，并且导致以覆盖氧化层覆盖所述晶片的表面，所述方法还包括在所述热处理之后的去除在所述氧化阶段期间生成的所述覆盖氧化层的脱氧操作，所述方法的特征在于，在所述热处理期间以及在所述氧化阶段之后，控制所述受控气氛，以在大致中性的气氛中至少包括这样的物质，该物质的离子可以向下迁移到所述晶片内的期望降低陷阱密度的所述界面处的深度。