发明名称 一种以复合铁磁层为铁磁电极的磁隧道结元件
摘要 本发明公开了一种以复合铁磁层为铁磁电极的磁隧道结元件,该磁隧道结元件包括一基片和在基片上设置的一缓冲层、一引导层、一由两个同铁磁材料形成的复合铁磁层作为自由层、一绝缘层、一由两不同铁磁材料形成的复合铁磁层作为钉扎层、一反铁磁层、一保护层。通过调节复合铁磁层中的薄铁磁层的厚度可以连续可调复合铁磁层的自旋极化率,从而可以调控该元件的隧道磁电阻值;通过调节作为自由层的复合铁磁层中薄铁磁层的厚度可以连续可调该自由层的矫顽力,从而可以调节该元件的开关场大小。
申请公布号 CN100369284C 申请公布日期 2008.02.13
申请号 CN200410030893.0 申请日期 2004.04.09
申请人 中国科学院物理研究所 发明人 朱涛;彭子龙;詹文山
分类号 H01L43/08(2006.01);G11C11/15(2006.01) 主分类号 H01L43/08(2006.01)
代理机构 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 代理人 尹振启
主权项 1.一种以复合铁磁层为铁磁电极的磁隧道结元件,包括一基片和在基片上设置的一缓冲层、一反铁磁层、一绝缘层、及一保护层,其特征在于,还包括:一引导层,设于所述缓冲层上,所述引导层具有(111)织构;一复合铁磁层,作为钉扎层设置于所述反铁磁层上;及一复合铁磁层,作为自由层设置于所述绝缘层之上;所述的复合铁磁层的材料选自两种不同铁磁材料组成的双层膜FM1/FM2,其中铁磁材料FM1或FM2选自Co,NiXFe100-X,或CoYFe100-Y 的一种但不相同,77<X<83,10<Y<90,并且其中FM1的厚度为2.5至10nm;FM2层的厚度为0至4nm之间,并且紧邻绝缘层。
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