| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。目的在于：提供一种在同一基板上根据需要分别使用介电常数不同的多种栅极绝缘膜的半导体装置的结构、及实现该结构的简单制造方法。在基板(1)的活性区域(1a)上，隔着高介电常数栅极绝缘膜(4)形成有栅极电极(7A)。在基板(1)的活性区域(1b)上，隔着栅极氧化膜(6)形成有栅极电极(7B)。在栅极电极(7A)及(7B)各自的侧面形成有同一结构的绝缘性侧壁隔离物(8A)及(8B)。 | ||
| 申请公布号 | CN101123252A | 申请公布日期 | 2008.02.13 |
| 申请号 | CN200710138244.6 | 申请日期 | 2007.07.31 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 平濑顺司;佐藤好弘 |
| 分类号 | H01L27/088(2006.01);H01L27/092(2006.01) | 主分类号 | H01L27/088(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，包括第一金属绝缘体半导体晶体管和第二金属绝缘体半导体晶体管，其特征在于：上述第一金属绝缘体半导体晶体管包括第一栅极绝缘膜和第一栅极电极，该第一栅极绝缘膜形成在基板的第一活性区域上，该第一栅极电极形成在上述第一栅极绝缘膜上；上述第二金属绝缘体半导体晶体管包括第二栅极绝缘膜和第二栅极电极，该第二栅极绝缘膜形成在上述基板的第二活性区域上，介电常数低于上述第一栅极绝缘膜，该第二栅极电极形成在上述第二栅极绝缘膜上；在上述第一栅极电极及上述第二栅极电极各自的侧面上形成有同一结构的绝缘性侧壁隔离物。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||