深蚀刻方法

摘要

本发明涉及一种深蚀刻方法，首先提供一晶片，并于该晶片的一表面形成一掩模图案层，该掩模图案层具有至少一开口暴露该晶片的该表面；接着进行一沉积工艺，于该掩模图案上和部分该晶片的该表面形成一聚合物层；随即进行一等离子体蚀刻工艺，移除前一步骤所形成的聚合物层，并藉由该开口蚀刻该晶片以形成一流道，且该等离子体蚀刻工艺中将形成一氧化物于该流道的一侧壁；重复该沉积工艺与该等离子体蚀刻工艺直到该流道具有一预定的深宽比为止，因此本发明的深蚀刻方法可有效地进行各向异性蚀刻，并形成具有亲水性侧壁的流道。

主权项

1.一种深蚀刻方法，该深蚀刻方法包含：提供一晶片；形成一掩模图案于该晶片的一表面，且该掩模图案包含有至少一开口曝露出部分该晶片的该表面；进行一沉积工艺，于该掩模图案上以及该晶片的该表面形成一聚合物层；进行一等离子体蚀刻工艺，透过该开口蚀刻该半导体的该表面以形成一流道，并于进行该等离子体蚀刻工艺的过程中一并通入氧气，以于该流道的侧壁形成氧化物；以及重复交替进行该沉积工艺以及该等离子体蚀刻工艺直至该流道具有一预定深宽比为止。