多晶硅液晶显示器件的制造方法

摘要

多晶硅液晶显示器件的制造方法。公开了一种用于制造多晶硅液晶显示器件的方法。为了在形成将源极和漏极连接到有源层的接触孔的工艺中形成没有台阶部分的接触孔，将构成绝缘层的氮化硅层形成为具有多孔结构。因此，氮化硅层和二氧化硅层的蚀刻速率变得相同，从而形成没有台阶部分的接触孔。因为在接触孔中没有形成台阶部分，所以防止了形成在接触孔中的源极和漏极的断路，从而防止产生劣化。

主权项

1.一种用于制造薄膜晶体管液晶显示器件的方法，该方法包括：在一基板上形成由晶体硅制成的有源层；在所述有源层上形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成栅极；形成包括多孔氮化硅层的第二绝缘层；通过湿蚀刻形成穿过所述第二绝缘层和所述第一绝缘层的多个接触孔，以曝露所述有源层；通过所述接触孔将杂质离子注入所述有源层来形成源区和漏区；通过所述接触孔形成与所述源区和漏区相连的源极和漏极；在所述源极和漏极上形成钝化层；以及在所述钝化层上形成像素电极。