| 发明名称 | 铜镶嵌工艺 | ||
| 摘要 | 一种铜镶嵌工艺，包括提供一基底，该基底包括有一介电层设于其表面、形成至少一铜镶嵌结构于该介电层内、对该基底进行一热处理以移除铜镶嵌工艺残余的不纯物、以及对该铜镶嵌结构的表面进行一还原等离子体处理以还原该铜镶嵌结构，达到改善铜镶嵌结构的目的。 | ||
| 申请公布号 | CN101123215A | 申请公布日期 | 2008.02.13 |
| 申请号 | CN200610110754.8 | 申请日期 | 2006.08.11 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 赖国智;陈美玲;陈哲明;陈新兴;苏世芳;陈孟祺 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L21/768(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1.一种铜镶嵌工艺，包括以下步骤：提供基底，包括有介电层设于该基底的表面；形成至少一铜镶嵌结构于该介电层内；对该基底进行热处理；以及对该铜镶嵌结构的表面进行还原等离子体处理。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||