清除残余金属的方法

摘要

本发明揭示一种清除残余金属的方法，此残余金属位于硅晶片基底的过渡金属硅化物上。为清除此残余金属，首先，对过渡金属硅化物作表面氧化处理，使得过渡金属硅化物上方形成保护层后，再利用氯化氢和过氧化氢混合物(HPM)清洗步骤清洗硅晶片基底，以清除残余金属。

主权项

1.一种清除残余金属的方法，包括：提供基底，该基底上方具有至少一处过渡金属硅化物，且该过渡金属硅化物上方又具有该残余金属；利用过氧化氢溶液对该过渡金属硅化物作表面氧化处理，该过氧化氢溶液与该过渡金属硅化物反应，并形成保护层在该过渡金属硅化物上方；并且利用氯化氢和过氧化氢混合物清洗步骤清洗该基底，以清除该残余金属。