发明名称 | 使用无电电镀法制造发光二极管的方法 | ||
摘要 | 本发明涉及一种形成发光二极管的方法,此方法包括形成一绝缘层于p型半导体层与n型半导体层中至少其一上,且未被晶种层覆盖的一区域,此区域中的表面杂质浓度呈不均匀分布,及将晶种层至少一部分置入电解液中,电解液中包括有金属离子,此金属离子在无外加电压下会还原沉积于晶种层之上。 | ||
申请公布号 | CN101123287A | 申请公布日期 | 2008.02.13 |
申请号 | CN200610110764.1 | 申请日期 | 2006.08.11 |
申请人 | 晶元光电股份有限公司 | 发明人 | 庄家铭;邵聿珩;纪喨胜;黄毓杰;霍大成 |
分类号 | H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
主权项 | 1.一种发光二极管的制造方法,包括:提供一基板;形成一半导体迭层于该基板上方,该半导体迭层包括一p型半导体层、一n型半导体层、及一位于该p型半导体层与该n型半导体层间的发光区;形成一预覆层于该p型半导体层与该n型半导体层中至少其一的上方;形成一绝缘层于一未被该预覆层覆盖的区域,该p型半导体层与该n型半导体层的表面杂质浓度于该区域中呈不均匀分布;以及将该预覆层的至少一部分置入一电解液中,该电解液中包括有金属离子,该金属离子在无外加电压下会还原沉积于该预覆层之上并形成一金属层。 | ||
地址 | 中国台湾新竹市 |