| 发明名称 | 薄膜半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种薄膜晶体管，可减少源极和漏极之间的漏电流。用湿法蚀刻技术蚀刻硅膜以获得具有锥形边缘的岛状硅半导体区域。另外，用干法蚀刻技术形成具有锥形边缘部分的岛状半导体区域，并用蚀刻例如氢或氢氟氮酸蚀刻边缘部分。结果，在岛状半导体区域中，可除去干法蚀刻时已被等离子体破坏的部分。减少由这一部分引起的源极和漏极之间的漏电流和减少当栅极横断岛状硅区域时发生断开的缺陷。 | ||
| 申请公布号 | CN101123193A | 申请公布日期 | 2008.02.13 |
| 申请号 | CN200710152806.2 | 申请日期 | 1995.09.16 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 须泽英臣;竹村保彦;山崎舜平 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01);H01L21/3065(2006.01);H01L21/308(2006.01);H01L21/306(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王忠忠 |
| 主权项 | 1.一种制造薄膜半导体器件的方法，包括下列步骤：(a)通过干法蚀刻技术蚀刻在一个绝缘涂层上形成的硅膜，从而形成具有锥形边缘的岛状薄膜硅半导体区域，在其上形成有掩膜；(b)用呈非电离状态的并具有蚀刻硅膜的作用的气体或液体处理所述薄膜硅半导体区域的边缘部分；以及(c)形成一横截所述薄膜半导体区域的栅电极。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县厚木市 | ||