薄膜晶体管衬底、薄膜晶体管的制造方法以及显示装置

摘要

本发明提供减少掩膜数和步骤数的薄膜晶体管衬底，包括：形成在衬底(1)上的第一导电层(7)；形成在第一导电层(7)上的防扩散层(2)；形成在防扩散层(2)上的半导体层(3)；形成在半导体层(3)上的栅极绝缘层(4)；形成在栅极绝缘层(4)上的第二导电层(5)；形成在第二导电层(5)上的层间绝缘层(6)；第三导电层(9)，形成在以贯通层间绝缘层(6)与栅极绝缘层(4)达到半导体层(3)的方式形成的第一接触孔内、以贯通层间绝缘层(6)、栅极绝缘层(4)和防扩散层(2)到达第一导电层(7)的方式形成的第二接触孔内和层间绝缘层(6)上，第三导电层(9)包括以岛状形成在层间绝缘层(6)上的像素电极(9a)。

主权项

1.一种薄膜晶体管衬底，其特征在于，具有：衬底；包括形成在上述衬底上的布线电极的第一导电层；以覆盖上述第一导电层的方式形成的防扩散层；半导体层，在上述防扩散层上以岛状形成，具有沟道区域、源极区域以及漏极区域；以覆盖上述半导体层的方式形成的栅极绝缘层；第二导电层，包括隔着上述栅极绝缘层形成在上述沟道区域上的栅电极；以覆盖上述第二导电层的方式形成的层间绝缘层；第三导电层，形成在第一接触孔内、第二接触孔内、以及所述层间绝缘层上，该第一接触孔以贯通所述层间绝缘层以及所述栅极绝缘层并达到所述半导体层的方式形成，该第二接触孔以贯通所述层间绝缘层、所述栅极绝缘层以及所述防扩散层并到达第一导电层的方式形成，上述第三导电层包括以岛状形成在上述层间绝缘层上的像素电极。