| 发明名称 | 使用Ni合金阻滞一硅化镍的结块作用 | ||
| 摘要 | 一种提供用于半导体元件的低阻非结块的一硅化镍接触点的方法。其中，制备基本上非结块的Ni合金一硅化物的本发明方法包括如下步骤：在一部分含Si基质上形成金属合金层，其中所述的金属合金层含有Ni和一种或多种合金添加剂，其中所述的合金添加剂是Ti、V、Cr、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、W、Re或其混合物；将金属合金层在一定的温度下退火以将一部分所述的金属合金层转化成Ni合金一硅化物层；然后除去未转化成Ni合金一硅化物的残留的金属合金层。将合金添加剂选择用于相稳定性并且阻滞结块。最有效地阻滞结块的合金添加剂在生成低薄膜电阻的硅化物方面最有效。 | ||
| 申请公布号 | CN100369219C | 申请公布日期 | 2008.02.13 |
| 申请号 | CN200310113085.6 | 申请日期 | 2003.12.25 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | C·小卡布拉尔;R·A·卡拉瑟斯;C·德塔韦尼耶;J·M·E·哈珀;C·拉沃耶 |
| 分类号 | H01L21/3205(2006.01);H01L21/283(2006.01);H01L21/768(2006.01);H01L21/60(2006.01) | 主分类号 | H01L21/3205(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 林柏楠;刘金辉 |
| 主权项 | 1.制备基本上非结块的Ni合金一硅化物的方法，该方法包括如下步骤：(a)在一部分含Si材料上形成Ni合金层，其中所述的Ni合金层含有一种或多种合金添加剂，其中所述的一种或多种合金添加剂包括至少一种抗结块添加剂；(b)将所述的Ni合金层在能够将一部分所述的Ni合金层转化成Ni合金一硅化物层的温度下退火，所述的Ni合金一硅化物层比所述的Ni合金层具有更高的蚀刻阻力；并且(c)除去步骤(b)中未转化的残留的Ni合金层。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||