| 发明名称 | MOS电容测试结构及失效点定位方法 | ||
| 摘要 | 一种MOS电容失效点定位方法，包括：形成测试MOS电容；在测试MOS电容上方沉积介质层及金属层，获得MOS电容测试结构；对所述MOS电容测试结构进行测试，获得失效点位置信息。所述在测试MOS电容上方沉积金属层的方法包括在测试MOS电容上方沉积第一辅助金属层及第二辅助金属层或在测试MOS电容上方沉积具有规则图形的金属层。利用双层金属线形成的网格或单层金属层内规则图形作为光学检测图像中的坐标，可提供准确的失效点位置信息；且双层金属线或单层金属层内规则图形的制作工艺简单，无需单独增加生产步骤或引入新材料，既不会增加生产成本也不会对最终获得的器件的性能产生不良影响。 | ||
| 申请公布号 | CN101123245A | 申请公布日期 | 2008.02.13 |
| 申请号 | CN200610029919.9 | 申请日期 | 2006.08.10 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 孙艳辉;郭廓 |
| 分类号 | H01L23/544(2006.01);H01L21/66(2006.01);G01R31/308(2006.01) | 主分类号 | H01L23/544(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1.一种MOS电容测试结构，包括一测试MOS电容，所述测试MOS电容包括顺次相接的半导体衬底、氧化层和栅极，其特征在于：在所述测试MOS电容上方顺次沉积有第一层间介质层、第一辅助金属层、第二层间介质层及第二辅助金属层。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||