发明名称 切割晶圆的方法
摘要 本发明提供一种切割晶圆的方法,其在晶圆的背面形成一胶层,可在晶圆切割期间提供足够的机械强度,使切割后所得到的晶粒不会有侧崩与背崩过大的问题。
申请公布号 CN101123217A 申请公布日期 2008.02.13
申请号 CN200610111024.X 申请日期 2006.08.09
申请人 日月光半导体制造股份有限公司 发明人 褚福堂;钟启源
分类号 H01L21/78(2006.01);H01L21/301(2006.01) 主分类号 H01L21/78(2006.01)
代理机构 上海翼胜专利商标事务所 代理人 翟羽
主权项 1.一种切割晶圆的方法,其包含:提供具有一主动表面及一背面的一晶圆;在该晶圆的该背面涂布一胶材;使该胶材硬化;及切割该晶圆以形成各个晶粒。
地址 中国台湾高雄市楠梓加工区经三路26号