凹槽的填充方法及其结构

摘要

一种凹槽的填充方法，包括在半导体衬底上的凹槽内依次形成扩散势垒层、第一导电层、第二导电层、第三导电层以及抗反射层，第二导电层填满凹槽。第一导电层和第三导电层的形成温度在20℃至250℃温度范围内；第二导电层的形成温度为第二导电层的导电材料的熔点以下50至200℃范围内。相应的凹槽的填充结构上述方法所形成的结构。本发明三段式填充凹槽技术所形成的抗反射层和第三导电层之间界面应力小，防止了抗反射层由于应力过大而断裂，避免了显影液经由抗反射层的裂口渗入导电层而导致的桥接和“火山”缺陷。

主权项

1.一种凹槽的填充方法，其特征在于，包括如下步骤：提供带有绝缘层的半导体衬底，所述绝缘层设有凹槽；在整个绝缘层表面和凹槽内形成扩散势垒层；在扩散势垒层上形成第一导电层；在第一导电层上形成第二导电层，第二导电层填满凹槽；在第二导电层上形成第三导电层；在第三导电层上形成抗反射层。