| 发明名称 | 薄膜覆盖层的形成方法 | ||
| 摘要 | 公开了一种薄膜覆盖层的形成方法，该方法在衬底的材料层上覆盖掩膜层，并图案化所述掩膜层；利用所述掩膜层刻蚀所述材料层，在所述材料层中形成沟槽；对刻蚀后的材料层进行湿法清洗；去除清洗后沟槽内残留的刻蚀残留物；在所述材料层上淀积薄膜覆盖层。采用本发明的方法可形成高质量的淀积薄膜，提高了生产的产量和产品的成品率。 | ||
| 申请公布号 | CN101123171A | 申请公布日期 | 2008.02.13 |
| 申请号 | CN200610030022.8 | 申请日期 | 2006.08.11 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 张子莹;刘松妍;徐根保 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/316(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1.一种薄膜覆盖层的形成方法，其特征在于，包括步骤：在衬底的材料层上覆盖掩膜层，并图案化所述掩膜层；利用所述掩膜层刻蚀所述材料层，在所述材料层中形成沟槽；对刻蚀后的材料层进行湿法清洗；去除清洗后沟槽内残留的刻蚀残留物；在所述材料层上淀积薄膜覆盖层。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||