发明名称 Methods of forming capacitor electrodes using fluorine and oxygen
摘要 A method of forming a capacitor can include etching a metal-nitride layer in an environment comprising fluorine and oxygen to form a capacitor electrode.
申请公布号 US7329574(B2) 申请公布日期 2008.02.12
申请号 US20050154152 申请日期 2005.06.16
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 CHO SUNG-IL;KIM JONG-KYU;NAM BYEONG-YUN;CHI KYEONG-KOO;LEE CHEOL-KYU
分类号 H01L21/8242 主分类号 H01L21/8242
代理机构 代理人
主权项
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