发明名称 |
Methods of forming capacitor electrodes using fluorine and oxygen |
摘要 |
A method of forming a capacitor can include etching a metal-nitride layer in an environment comprising fluorine and oxygen to form a capacitor electrode.
|
申请公布号 |
US7329574(B2) |
申请公布日期 |
2008.02.12 |
申请号 |
US20050154152 |
申请日期 |
2005.06.16 |
申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. |
发明人 |
CHO SUNG-IL;KIM JONG-KYU;NAM BYEONG-YUN;CHI KYEONG-KOO;LEE CHEOL-KYU |
分类号 |
H01L21/8242 |
主分类号 |
H01L21/8242 |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
|
地址 |
|