| 主权项 |
1.一种电子装置,其包括: 一形成在基板上之第一绝缘膜;及 一形成于该第一绝缘膜中之导电膜, 该第一绝缘膜含有矽与碳, 该第一绝缘膜具有在其厚度方向逐渐变化之密度 。 2.如申请专利范围第1项之电子装置,其中该第一绝 缘膜之一最上方部分具有之密度高于该第一绝缘 膜之平均密度。 3.如申请专利范围第2项之电子装置,其中该最上方 部分之密度为1.8公克/立方公分或更多,且该平均 密度为1.4公克/立方公分或更少。 4.如申请专利范围第1项之电子装置,其中该第一绝 缘膜的一最下方部分之密度高于该第一绝缘膜之 平均密度。 5.如申请专利范围第4项之电子装置,其中该最下方 部分之密度系1.8公克/立方公分或更多,且该平均 密度系1.4公克/立方公分或更少。 6.如申请专利范围第1项之电子装置,进一步包含: 一形成于该第一绝缘膜上之第二绝缘膜,其中 该第二绝缘膜之平均密度系1.5公克/立方公分或更 多及1.7公克/立方公分或更少。 7.如申请专利范围第1项之电子装置,进一步包含: 一形成于该第一绝缘膜上之第二绝缘膜,其中 各包含在邻接该第一绝缘膜之第二绝缘膜的一部 分内之氧对矽的含量比(abundance ratio)系少于2。 8.一种电子装置,其包括: 一形成在基板上之第一绝缘膜;及 一形成于该第一绝缘膜中之导电膜, 该第一绝缘膜含有矽与碳, 该第一绝缘膜具有一在其厚度方向逐渐变化之碳 浓度。 9.如申请专利范围第8项之电子装置,其中该第一绝 缘膜的一最上方部分具有之碳浓度高于该第一绝 缘膜之平均碳浓度。 10.如申请专利范围第9项之电子装置,其中该最上 方部分之碳浓度系30 at%或更多且该平均碳浓度系 20 at%或更少。 11.如申请专利范围第8项之电子装置,其中该第一 绝缘膜的一最下方部分之碳浓度高于该第一绝缘 膜之平均碳浓度。 12.如申请专利范围第11项之电子装置,其中该最下 方部分之碳浓度系30 at%或更多,且该平均碳浓度系 20 at%或更少。 13.如申请专利范围第8项之电子装置,进一步包含: 一形成于该第一绝缘膜上之第二绝缘膜,其中 该第二绝缘膜之平均密度系1.5公克/立方公分或更 多及1.7公克/立方公分或更少。 14.如申请专利范围第8项之电子装置,进一步包含: 一形成于该第一绝缘膜上之第二绝缘膜,其中 各包含在邻接该第一绝缘膜之第二绝缘膜的一部 分内之氧对矽的含量比系少于2。 15.一种用于制造电子装置之方法,该方法包括下列 步骤: 形成一在一含有矽与碳的一第一绝缘膜上之第二 绝缘膜; 在各第二与第一绝缘膜中形成一孔; 在形成有该孔之该第二绝缘膜上形成一具有对应 于一包括形成有该孔区域之特定区域的一开口之 光阻膜;及 藉由使用该光阻膜作为一遮罩蚀刻各第二与第一 绝缘膜,以形成一连接至该孔之凹下部分, 该第一绝缘膜具有一在其厚度方向逐渐变化之密 度。 16.如申请专利范围第15项之方法,其中: 形成该第二绝缘膜之步骤包括藉由使用至少一矽 供应气体与一氧供应气体之电浆CVD沈积该第二绝 缘膜之步骤,及 在沈积该第二绝缘膜之初期间控制氧供应气体之 流率使其较低,使得各包含于邻接该第一绝缘膜之 第二绝缘膜的部分内之氧对矽的含量比系少于2。 17.如申请专利范围第15项之方法,其中形成该第二 绝缘膜之步骤在施行时同时可防止该第一绝缘膜 曝露于一含有氮之大气中。 18.如申请专利范围第15项之方法,其中形成该第二 绝缘膜之步骤是藉由旋布或热CVD施行。 19.如申请专利范围第15项之方法,进一步包括在介 于形成该孔之步骤与形成该光阻膜之步骤,该步骤 包括: 在该孔中形成一虚设插塞之步骤。 20.一种用于形成电子装置之方法,该方法包括下列 步骤: 在一含有矽与碳的一第一绝缘膜上形成一第二绝 缘膜; 在各第二与第一绝缘膜中形成一孔; 在形成有该孔之该第二绝缘膜上形成一具有对应 于一包括形成有该孔区域之特定区域的一开口之 光阻膜;及 藉由使用该光阻膜作为一遮罩蚀刻各第二与第一 绝缘膜,以形成一连接该孔之凹下部分, 该第一绝缘膜具有一在其厚度方向逐渐变化之碳 浓度。 21.如申请专利范围第20项之方法,其中: 形成该第二绝缘膜之步骤包括藉由使用至少一矽 供应气体与一氧供应气体之电浆CVD沈积该第二绝 缘膜之步骤,及 在沈积第二绝缘膜之初始期间控制氧供应气体之 流率使其较低,使得各包含于邻接该第一绝缘膜之 第二绝缘膜的部分内之氧对矽的含量比系少于2。 22.如申请专利范围第20项之方法,其中施行形成该 第二绝缘膜之步骤的同时可防止该第一绝缘膜曝 露于一含氮之大气中。 23.如申请专利范围第20项之方法,其中形成该第二 绝缘膜之步骤系藉由旋布或热CVD而施行。 24.如申请专利范围第20项之方法,在介于形成该孔 之步骤与形成该光阻膜之步骤间进一步包含下列 步骤: 在该孔内形成一虚设插塞。 图式简单说明: 图1为依据本发明具体实施例之电子装置的断面图 ; 图2A至2D系断面图,显示依据本发明第一具体实施 例制造一电子装置之个别制程步骤; 图3A至3C系断面图,显示依据第一具体实施例制造 一电子装置之个别制程步骤; 图4系显示当一只在其最上方部分具有较高膜密度 之含碳矽氧化物膜,是使用依据第一具体实施例中 制造一电子装置之方法形成时,主要参数随时间变 化之图式; 图5系显示使用依照第一具体实施例制造一电子装 置之方法形成的一含碳矽氧化物膜,在厚度方向之 膜成份的变化图式; 图6系显示使用依据本发明第三具体实施例中制造 一电子装置之方法形成一矽氧化物膜时,主要参数 随时间变化之图式; 图7A及7B系断面图,显示依据本发明第六具体实施 例制造电子装置方法之个别制程的步骤; 图8系一传统电子装置之断面图; 图9A至9D系断面图,显示传统制造一电子装置之方 法的个别制程步骤;及 图10A至10C系断面图,显示传统制造一电子装置之方 法的个别制程步骤。 |
